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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 7.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2126 left arrow 3293

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