RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
3293
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link