RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
34
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link