RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
5.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link