RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link