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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
38
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
3.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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