Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 38

En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

11.2 7.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.6 3.0

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2026 915

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns