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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 38
    周辺 18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 3.0
    テスト平均値
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 7.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 3.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2026 left arrow 915

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