RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
16.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3926
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link