RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3926
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link