RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3926
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link