RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3483
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Mushkin 994083 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link