RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston K821PJ-MID 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K821PJ-MID 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
2338
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston K821PJ-MID 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link