RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston K821PJ-MID 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Kingston K821PJ-MID 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
41
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
2338
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link