RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston K821PJ-MID 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2338
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K821PJ-MID 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link