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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Gesamtnote
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14200
Rund um 1.8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
11.8
Speicherbandbreite, mbps
14200
25600
Other
Beschreibung
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2458
2790
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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