RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 42

Rund um 29% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15 11.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 8.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 14200

Rund um 1.8 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2458 2790

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns