RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB против Kingston K1CXP8-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Средняя оценка
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
14200
Около 1.8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
42
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14200
25600
Other
Описание
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2458
2790
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link