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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Pontuação geral
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
14200
Por volta de 1.8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
42
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
11.8
Largura de banda de memória, mbps
14200
25600
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2458
2790
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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