RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
78
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link