RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
49
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2864
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link