RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
49
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
43
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2864
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link