RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
49
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
43
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2864
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link