RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
49
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
43
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
2864
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link