RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
62
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3133
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link