RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
62
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
31
Velocità di lettura, GB/s
7.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3133
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link