RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
24.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
20.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
4156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link