Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 40
    Rund um 28% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33% höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 40
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 8.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2711 left arrow 2157
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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