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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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2157
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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