Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Note globale
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 40
    Autour de 28% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.8 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 40
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.8 left arrow 8.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2711 left arrow 2157
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons