Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 40
    Около 28% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.8 left arrow 14.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2711 left arrow 2157
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения