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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
40
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2157
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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