RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
17.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link