RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
62
En -148% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
25
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link