RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
62
Rund um -210% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link