RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
75
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link