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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
75
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
75
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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