RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
50
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2812
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link