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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
50
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
34
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2812
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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