RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
62
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link