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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
16.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
3748
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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