RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
3748
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link