RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link