RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 против G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
5.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link