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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Gesamtnote
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
3617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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