RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Punteggio complessivo
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
26
Velocità di lettura, GB/s
8.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
3617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link