Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB vs Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 37
    Rund um 27% geringere Latenzzeit
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 12.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 15.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2084 left arrow 2595
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RAM 1
RAM 2

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