Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB vs Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 37
    Intorno 27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 12.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 7.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.4 left arrow 15.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 10.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2084 left arrow 2595
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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