Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB против Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 37
    Около 27% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 15.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 10.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2084 left arrow 2595
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения