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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1965
2127
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