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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB

総合得点
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A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 45
    周辺 40% 低遅延
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 7.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    11.3 left arrow 12.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1965 left arrow 2127

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