Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 45
    Wokół strony 40% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12 left arrow 11.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.3
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 45
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.3 left arrow 12.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.3 left arrow 8.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1965 left arrow 2127
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania